Граничная частота коэффициента передачи тока что это

Зарегистрируйтесь и получите два купона по 5$ каждый:https://jlcpcb.com/cwc

Критически важные распределенные системы требуют синхронного преобразования во всех подсистемах и непрерывного потока данных. Распределенные системы сбора данных могут быть синхронизированы как на основе АЦП последовательного приближения, так и на основе сигма-дельта (∑-Δ)-АЦП. Новый подход, основанный на преобразователе частоты дискретизации (SRC), содержащемся в микросхемах линейки AD7770 производства Analog Devices, позволяет достигать синхронизации в системах на основе сигма-дельта-АЦП без прерывания потока данных.

Специалисты компании Infineon рассказывают о сорокалетней истории технологических инноваций, последовавшей за созданием первого полевого транзистора с изолированным затвором (MOSFET), и на примере последних новшеств, касающихся расположения кристалла относительно печатной платы, показывают, как незначительные на первый взгляд изменения способны кардинально поменять характеристики прибора и разрабатываемых на его основе систем.

Источник

Частотные свойства биполярных транзисторов

Зависимость значения коэффициента передачи тока транзистора от частоты для
каскадов с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Онлайн калькулятор зависимости коэффициента передачи тока от частоты

Частотные свойства транзистора – это набор характеристик, которые определяют диапазон частот входных сигналов, в пределах которого прибор тем или иным образом выполняет присущие ему функции по усилению или преобразованию этих сигналов.
Для биполярных транзисторов для определения частотных характеристик принято использовать (среди прочих) частотную зависимость коэффициентов передачи входного тока в схемах ОБ и ОЭ.
Обозначаются эти коэффициенты, как правило: h21б (можно встретить α – альфа) и h21э (или β – бета).

Параметр коэффициента передачи транзистора h21б (включённого по схеме с ОБ), как правило, в перечне справочных характеристик не приводится, но его всегда можно рассчитать, исходя из следующего соотношения: α = β/(1 + β) .
Значение этого параметра всегда будет меньше 1, т. к. мы помним, что схема ОБ обладает усилением по напряжению, но не усиливает ток. Но дело в данном случае не в этом, а в том, что если мы поочерёдно подставим в эту формулу два значения β (т. е. h21э), например 100 и 50 (разница в 50%), то легко убедимся, что изменение α (т. е. h21б) составляет всего 1%.
А с учётом того, что для каскада с ОБ, как мы помним: K_u ≈ R_к x α/R_э , то и зависимость его усиления по напряжению от β транзистора будет значительно снижена. А потому и частотные свойства по отношению к ОЭ у него окажутся более предпочтительными, так как β транзистора существенно зависит от частоты, а Ku каскада ОЭ – от β. Поясним сказанное рисунком.

Рис.1 Зависимость коэффициентов передачи тока транзисторов от частоты

Здесь β₀ (h21э) и α₀ (h21б) – это коэффициенты передачи тока транзисторов в схемах ОЭ и ОБ по постоянному току.
f_h21э и f_h21б – это предельные частоты коэффициентов передачи тока (для схем ОЭ и ОБ). Они представляют собой частоты, на которой коэффициенты передачи снижаются в 1,41 раза (на 3 дБ) от максимального значения.
f_т – это граничная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером становится равным единице.

Величину коэффициента передачи тока транзисторов в зависимости от рабочей частоты для схемы ОЭ можно определить по следующей формуле:
, где:
h_21э0 – это статический коэффициент передачи тока транзистора для схемы ОЭ (является паспортной характеристикой),
F – это рабочая частота, на которой определяется β,
f_h21э – это предельная частота коэффициента передачи тока для схемы ОЭ.

f_h21э связана с граничной частотой f_т (которая также является паспортной характеристикой) простым соотношением: f_h21э ≈ f_Т/ β₀ .

Теперь, после того как мы собрали все данные, можно рассчитать величину коэффициента передачи тока транзистора β на реальной частоте.
А далее, подставив полученное значение в формулу α = β/(1 + β) , также получить и значение коэффициента передачи и для схемы ОБ.
Сдобрим пройденный материал онлайн калькулятором.

РАСЧЁТ ЗАВИСИМОСТИ КОЭФФИЦИЕНТОВ ПЕРЕДАЧИ ТОКА ТРАНЗИСТОРА ОТ ЧАСТОТЫ

Источник

Граничная частота коэффициента передачи тока что это

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

Методы определения граничной и предельной частот коэффициента
передачи тока

Transistors biplar. Methods for determining cut-off frequency
and transition frequency

Дата введения 1984-01-01

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 24 ноября 1982 г. N 4441 срок действия установлен с 01.01.84 до 01.01.89**

* ПЕРЕИЗДАНИЕ (декабрь 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в марте 1984 г. (ИУС 6-84)

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы определения предельной и граничной частот коэффициента передачи тока.

Общие требования и требования безопасности при определении и должны соответствовать ГОСТ 18604.0-83 и требованиям, изложенным в соответствующих разделах настоящего стандарта.

1. МЕТОД ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЧАСТОТЫ КОЭФФИЦИЕНТА ПЕРЕДАЧИ ТОКА

1.1. Условия и режимы измерения

1.1.1. Предельную частоту коэффициента передачи тока определяют измерением модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте в схеме с общей базой на частотах до 20 МГц.

1.1.2. Измерения проводят в режиме малого переменного сигнала. Амплитуду сигнала считают достаточно малой, если при уменьшении амплитуды сигнала генератора в два раза значение измеряемого параметра изменяется в пределах погрешности, указанной в п.1.4.

1.1.3. Ток на проверяемом транзисторе контролируют в цепи эмиттера или коллектора. Конкретное значение тока эмиттера (или коллектора) указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

1.1.4. Напряжение коллектора контролируют на зажимах коллектор-эмиттер или на зажимах коллектор-база. Конкретное значение напряжения коллектор-эмиттер (коллектор-база) указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

1.1.5. Для транзисторов с изолированными выводами коллектора, базы и эмиттера корпусной вывод должен быть заземлен.

1.2.1. Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте измеряют на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт.1.

Схема измерения , или

1.2.2. Генератор высокочастотного сигнала должен обеспечивать заданную частоту измерения с погрешностью в пределах ±2%.

1.2.3. Значение выходной проводимости генератора тока должно удовлетворять соотношению

,

где — максимальное входное сопротивление на проверяемом транзисторе на низкой частоте в режиме малого переменного сигнала, значение которого указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Конкретное значение и порядок проведения проверки выходной проводимости указывают в стандартах или технической документации на конкретные измерительные установки, утвержденной в установленном порядке.

1.2.4. Схема короткого замыкания должна обеспечивать режим короткого замыкания на выходных зажимах проверяемого транзистора на высокой частоте.

Полное сопротивление короткого замыкания в схеме короткого замыкания должно удовлетворять условиям

;

,

где — максимальное значение емкости коллекторного перехода на проверяемом транзисторе, которое указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Конкретное значение параметров и порядок проведения проверки указанных выше требований к схеме короткого замыкания устанавливают в стандартах или технической документации на конкретные измерительные установки, утвержденной в установленном порядке.

1.2.5. В схемах генератора тока и короткого замыкания в качестве токосъемных элементов используют резисторы, индуктивности, емкости, выходные сопротивления блока питания транзистора. Примеры схем генератора тока приведены в справочном приложении.

1.2.6. Схема калибровки должна обеспечивать переключение схемы генератора тока с входного электрода транзистора на вход схемы короткого замыкания. Простейшая схема калибровки представляет собой перемычку, подключенную к контактному устройству вместо проверяемого транзистора.

1.2.7. Электронный измеритель напряжения должен иметь достаточно высокую чувствительность для обеспечения условия малого переменного сигнала. Чувствительность должна быть отрегулирована таким образом, чтобы показания электронного измерителя напряжения в режиме измерения соответствовали требуемому значению измеряемого параметра.

1.3. Подготовка и проведение измерений

1.3.1. Устанавливают частоту генератора высокочастотного сигнала, близкую к предполагаемой предельной частоте измеряемого транзистора.

1.3.3. Схему переключают в режим измерения, на транзистор от блока питания подают требуемый режим по постоянному току и измеряют напряжение электронным измерителем напряжения.

1.3.4. Определяют модуль по формуле

.

1.3.6. Подбирают частоту генератора высокочастотного сигнала указанным способом до тех пор, пока не найдут частоту, на которой модуль 0,7. Эту частоту и считают предельной частотой коэффициента передачи тока.

(Измененная редакция, Изм. N 1).

1.4. Показатели точности измерения

,

— погрешность измерения за счет неточности установления и поддержания режима измерения, которую указывают или определяют по типовым характеристикам в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. N 1).

2. МЕТОД ОПРЕДЕЛЕНИЯ ГРАНИЧНОЙ ЧАСТОТЫ
КОЭФФИЦИЕНТА ПЕРЕДАЧИ ТОКА

2.1. Условия и режимы измерений

2.1.1. Граничную частоту коэффициента передачи тока определяют измерением модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте в схеме с общим эмиттером или фазы коэффициента передачи тока на высокой частоте в схеме с общей базой .

2.1.2. Измерения проводят в режиме малого переменного сигнала по п.1.1.2.

2.1.3. Частоту измерения выбирают из ряда: 0,2; 0,5; 1; 2; 3; 5; 10; 20, 30; 100; 300; 1000; 3000 МГц. При оценивании правильности выбора частоты используют соотношения:

при измерении ;

при измерении ,

2.1.4. Измерения проводят при непрерывном или импульсном питании транзистора. Конкретный режим питания указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Импульсный ток эмиттера или импульсный ток базы должны соответствовать значению импульсного тока коллектора. При этом напряжение на коллектор подают от источника постоянного напряжения.

При импульсном режиме питания транзистора в паузе между импульсами тока проверяемый транзистор должен быть закрыт.

Источник

Параметры биполярного транзистора

В радиолюбительской практике часто приходится подбирать транзисторы для их замены на аналогичные или выбирать нужные транзисторы при конструировании какого нибудь изделия по желаемым параметрам.
Поэтому без справочников по транзисторам никак не обойтись. В них приведены основные параметры транзисторов как по постоянному, так и переменному току. Но не все знают, что они обозначают. Попробуем разобраться с этим.

Биполярные транзисторы

Обратный коллекторный ток

Параметры транзистора по постоянному току характеризуют токи транзистора при включении перехода в обратном направлении.

Низкочастотные параметры транзистора

Для лучшего понимания происходящего в четырехполюснике транзистора покажем его эквивалентную схему ( рис.6 ).
Тогда уравнения четырехполюсника с h-параметрами выглядят так:

У современных транзисторов коэффициент обратной связи h12 почти равен нулю и позтому его можно не указывать на эквивалентной схеме.

Для разных схем включения транзистора h-параметры определяются по формулам:

h11б?h11э/(1+h21э);
h12б?h11э•h22э/(1+h21э);
h21б?-h21э/(1+h21э);
h22б?h22э/(1+h21э);

h11к?h11э;
h12к?1;
h21к?-(1+h21э);
h22к?h22э.

Например, возьмем старенький легендарный низкочастотный, маломощный транзистор МП41, и рассчитаем его входное и выходное сопротивления при включении с ОЭ по справочным данным:
h11б = 25 Ом,
h22б = 3,3 мкСм,
h21э = 30. 60.

Выходное сопротивление R вых. обратно пропорционально проводимости h22э:

Высокочастотные параметры транзистора

Емкость коллекторного перехода

Сам по себе транзистор представляет собой кристалл с двумя p-n или n-p переходами.
В следствии диффузии основных и неосновных зарядов в переходах образуются обедненные слоя с заряженными границами переходов (см. раздел «p-n переход», рис.a,b,c.), которые представляют собой своеобразные конденсаторы и называются барьерными емкостями.
При подаче напряжения разной полярности на переходы они будет расширяться или сужаться, меняя при этом свою емкость.

Эту эквивалентную схему можно использовать как модель для анализа происходящих процессов в транзисторе при подаче на него малого переменного напряжения, к примеру, с генератора.

Из этого можно сделать вывод: транзисторы для работы в усилительном режиме нужно выбирать как можно с меньшей емкостью коллекторного перехода, особенно на высоких частотах.

Предельная и граничная частоты коэффициента передачи тока.

Предельная и граничная частоты коэффициента передачи по току приводятся в справочных данных как существенные параметры транзистора.
Мы уже выяснили, что при увеличении частоты входного сигнала транзистора коэффициент усиления по току с определенного момента начнет уменьшаться из-за увеличения емкости коллекторного перехода. Но это только одна из причин падения усиления транзистора от частоты, хотя и немаловажная.

С увеличением частоты сигнала проявляются инерционные свойства транзистора.
Происходит отставание по фазе переменного тока коллектора от тока эмиттера. Это вызвано конечным значением времени перемещения носителей заряда от эмиттерного перехода к коллекторному через базу. И хотя время «пролета» составляет меньше 0,1 мкс, но при частотах в несколько мегагерц и выше это приводит к сдвигу фаз коллекторного и эмиттерного токов, что увеличивает ток базы и уменьшает коэффициент усиления.
Так же к инерционным свойствам относится время на перезарядку емкостей коллекторного и эмиттерного переходов.
Все эти паразитные явления приводят к уменьшению коэффициента усиления по току.

Коэффициент шума

Из этого определения следует, что для идеального «нешумящего» транзистора Кш будет равен единице, т.к. шумы будут обусловлены только сопротивлением источника сигнала:

Из рис.11,12 можно сделать вывод, что коэффициент шума зависит от режима транзистора ( Iэ ) и температуры окружающей среды ( Т?С ), а так же от выходного сопротивления источника сигнала ( Rг ) и частоты сигнала.

Чтобы получить как можно меньший уровень шумов транзистора в усилительном режиме необходимо определить наивыгоднейшие значения по току эмиттера и напряжению на коллекторе при оптимальном значении сопротивления источника сигнала.
Этого можно добиться если выбирать Iэ=0,1. 0,5 мА, Uк=0,5. 2,5 В и как можно уже полосу рабочих частот.

Источник

Граничная частота коэффициента передачи тока

30. Граничная частота коэффициента передачи тока

D. Übergangsfrequenz der Stromverstärkung (Transitfrequenz)

E. Transition frequency

F. Fréquence de transition

Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице.

Примечание. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву

Смотреть что такое «Граничная частота коэффициента передачи тока» в других словарях:

граничная частота коэффициента передачи тока — Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице. Обозначение fгр ft Примечание Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в… … Справочник технического переводчика

Граничная частота транзистора — Для улучшения этой статьи желательно?: Дополнить статью (статья слишком короткая либо содержит лишь словарное определение). Проставить для статьи более точные категории. Проставить интервики в рамках проекта Интервики … Википедия

ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 20003 74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0. 2 При заданном токе коллектора и… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

Биполярный транзистор — Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполярный транзистор трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно… … Википедия

КТ819Г — Фотография транзистора КТ819Г КТ819Г биполярный транзистор NPN проводимости, аналог 2N6110. Благодаря неплохим техническим характеристикам получил широкое распространение в отечественной радиотехнике. Макс. напр. к б при заданном обратном токе к … Википедия

КТ819 — КТ819В и КТ819Г … Википедия

ГОСТ 24375-80: Радиосвязь. Термины и определения — Терминология ГОСТ 24375 80: Радиосвязь. Термины и определения оригинал документа: 304. Абсолютная нестабильность частоты радиопередатчика Нестабильность частоты передатчика Определения термина из разных документов: Абсолютная нестабильность… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 25529 82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 87. Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона D. Zeitliche Instabilitat der Z Spannung der Z… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

Составной транзистор — Условное обозначение составного транзистора Составной транзистор (транзистор Дарлингтона) объединение двух или более биполярных транзисторов[1] с це … Википедия

Источник

• как обшить вокруг входной двери →